Murata Electronics North America DFE252012F-4R7M=P2
.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- DFE252012F-4R7M=P2
- 제조업 자
- Murata Electronics North America
- 제품 카테고리
- 고정 인덕터
- 간단한 설명
- 4.7µH Shielded Inductor 1.5A 190 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DFE252012F-4R7M=P2 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 238.27003
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DFE252012F-4R7M=P2, we specialize in all series Murata Electronics North America electronic components. DFE252012F-4R7M=P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DFE252012F-4R7M=P2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DFE252012F-4R7M=P2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DFE252012F-4R7M=P2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DFE252012F-4R7M=P2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DFE252012F Type | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | DFE252012F | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | - | |
| 소재 - 코어 | 철가루 | |
| 유도 용량 | 4.7µH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 1.5A | |
| 전류 - 포화 | 2.4A | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 190m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1008(2520 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.047"(1.20mm) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 490-13051-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DFE252012F-4R7M=P2 | |
| 관련 링크 | DFE252012, DFE252012F-4R7M=P2 Datasheet, Murata Electronics North America Distributor | |
DFE252012F-4R7M=P2 의 관련 제품
 | C1210C335K4PACTU | 3.3µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C335K4PACTU.pdf | |
 | VJ2220A123JBBAT4X | 0.012µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A123JBBAT4X.pdf | |
 | BF025016WC40136BJ1 | 400pF 9000V(9kV) 세라믹 커패시터 R85 축방향, CAN 0.984" Dia x 0.630" W(25.00mm x 16.00mm) | BF025016WC40136BJ1.pdf | |
| F339MX233331JCI2B0 | 0.033µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.197" W (10.00mm x 5.00mm) | F339MX233331JCI2B0.pdf | |
 | ECS-240-20-5PXDN-TR | 24MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-240-20-5PXDN-TR.pdf | |
 | S4PK-M3/86A | DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A | S4PK-M3/86A.pdf | |
 | IXTP110N055T2 | MOSFET N-CH 55V 110A TO-220 | IXTP110N055T2.pdf | |
 | 5022R-434J | 430µH Unshielded Inductor 147mA 17.1 Ohm Max 2-SMD | 5022R-434J.pdf | |
 | 103-560JS | 56nH Unshielded Inductor 760mA 170 mOhm Max 2-SMD | 103-560JS.pdf | |
 | ACPL-J313-000E | 2.5A Gate Driver Optical Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP | ACPL-J313-000E.pdf | |
.jpg) | RC1210FR-07390KL | RES SMD 390K OHM 1% 1/2W 1210 | RC1210FR-07390KL.pdf | |
 | ERJ-S1TJ124U | RES SMD 120K OHM 5% 1W 2512 | ERJ-S1TJ124U.pdf |
