창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG1016UDW-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMG1016UDW | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 3/May/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.07A, 845mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 600mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.74nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60.67pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 330mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMG1016UDW-7DITR DMG1016UDW7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMG1016UDW-7 | |
관련 링크 | DMG101, DMG1016UDW-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
C2012CH1H182J060AA | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 CH 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012CH1H182J060AA.pdf | ||
MKP383251160JFP2B0 | 5100pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | MKP383251160JFP2B0.pdf | ||
0TLS006.TXLS | FUSE CRTRDGE 6A 170VDC RAD BEND | 0TLS006.TXLS.pdf | ||
0459.375ER | FUSE BOARD MNT 375MA 125VAC/VDC | 0459.375ER.pdf | ||
SG350 | GDT 350V 1KA SURFACE MOUNT | SG350.pdf | ||
TMOV14RP275E | VARISTOR 430V 6KA DISC 14MM | TMOV14RP275E.pdf | ||
SIT9002AC-132N33DB160.00000Y | OSC XO 3.3V 160MHZ SD | SIT9002AC-132N33DB160.00000Y.pdf | ||
SIT9002AC-18N25SQ | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 84mA Standby | SIT9002AC-18N25SQ.pdf | ||
FDPF041N06BL1 | MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F | FDPF041N06BL1.pdf | ||
AISC-0603-R27J-T | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 3 Ohm Max Nonstandard | AISC-0603-R27J-T.pdf | ||
MJ2432FE-R52 | RES 24.3K OHM 1/8W 1% AXIAL | MJ2432FE-R52.pdf | ||
Y578799K9000B9L | RES 99.9K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y578799K9000B9L.pdf |