Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7
제조업체 부품 번호
DMG3415UFY4Q-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
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DMG3415UFY4Q-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMG3415UFY4Q-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMG3415UFY4Q
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)16V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs39m옴 @ 4A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs10nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds282pF @ 10V
전력 - 최대650mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지X2-DFN2015-3
표준 포장 3,000
다른 이름DMG3415UFY4Q-7DITR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMG3415UFY4Q-7
관련 링크DMG3415, DMG3415UFY4Q-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
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