Diodes Incorporated DMG4468LFG
- 제조업체 부품 번호
- DMG4468LFG
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMG4468LFG 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 163.08864
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMG4468LFG, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMG4468LFG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4468LFG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMG4468LFG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMG4468LFG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMG4468LFG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMG4468LFG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.62A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 11.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.85nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 867pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 990mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력UDFN | |
| 공급 장치 패키지 | DFN3030-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1034-DMG4468LFGDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMG4468LFG | |
| 관련 링크 | DMG44, DMG4468LFG Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMG4468LFG 의 관련 제품
 | UPS0J681MPD | 680µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPS0J681MPD.pdf | |
 | TMK107F474ZA-T | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | TMK107F474ZA-T.pdf | |
 | 06035U4R3BAT2A | 4.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06035U4R3BAT2A.pdf | |
 | IHD3EB470L | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 4A 34 mOhm Max Axial | IHD3EB470L.pdf | |
 | LQH43NN181J03L | 180µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 4.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43NN181J03L.pdf | |
-TNPW-SERIES.jpg) | TNPW040234K0BEED | RES SMD 34K OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040234K0BEED.pdf | |
 | ERJ-S02F1153X | RES SMD 115K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F1153X.pdf | |
 | RG1005N-6650-B-T5 | RES SMD 665 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-6650-B-T5.pdf | |
| RG1005N-1782-B-T5 | RES SMD 17.8KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-1782-B-T5.pdf | |
 | CMF552K2000FKEB | RES 2.2K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K2000FKEB.pdf | |
 | H8560KFZA | RES 560K OHM 1/4W 1% AXIAL | H8560KFZA.pdf | |
 | Y092518R0000A9L | RES 18 OHM 8W 0.05% TO220-2 | Y092518R0000A9L.pdf |
