Diodes Incorporated DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13
제조업체 부품 번호
DMG4511SK4-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
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내부 부품 번호EIS-DMG4511SK4-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMG4511SK4
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 채널 및 P 채널, 공통 드레인
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)35V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.3A, 5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs35m옴 @ 8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs18.7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds850pF @ 25V
전력 - 최대1.54W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-5, DPak(4 리드(lead) + 탭), TO-252AD
공급 장치 패키지TO-252-4L
표준 포장 2,500
다른 이름DMG4511SK4-13DITR
DMG4511SK413
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMG4511SK4-13
관련 링크DMG451, DMG4511SK4-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
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