Diodes Incorporated DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13
제조업체 부품 번호
DMG4800LK3-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 10A TO252
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내부 부품 번호EIS-DMG4800LK3-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMG4800LK3
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
카탈로그 페이지 1572 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs17m옴 @ 9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.6V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.7nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds798pF @ 10V
전력 - 최대1.71W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252-3
표준 포장 2,500
다른 이름DMG4800LK3-13DITR
DMG4800LK313
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMG4800LK3-13
관련 링크DMG480, DMG4800LK3-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
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