Diodes Incorporated DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13
제조업체 부품 번호
DMG4N60SK3-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
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DMG4N60SK3-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMG4N60SK3-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMG4N60SK3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.7A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.3옴 @ 2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs14.3nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds532pF @ 25V
전력 - 최대48W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252
표준 포장 2,500
다른 이름DMG4N60SK3-13DITR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMG4N60SK3-13
관련 링크DMG4N6, DMG4N60SK3-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
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