창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG5802LFX-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMG5802LFX | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 24V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 6.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1066.4pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 980mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-VFDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-DFN5020(5x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMG5802LFX-7DITR DMG5802LFX7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMG5802LFX-7 | |
관련 링크 | DMG580, DMG5802LFX-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | MKP385512125JPI4T0 | 1.2µF Film Capacitor 450V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.693" L x 0.728" W (43.00mm x 18.50mm) | MKP385512125JPI4T0.pdf | |
![]() | 02013J2R7BBSTR | 2.7pF Thin Film Capacitor 25V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 02013J2R7BBSTR.pdf | |
![]() | P122-156.25M | 156.25MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 90mA Enable/Disable | P122-156.25M.pdf | |
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![]() | RT2512FKE072KL | RES SMD 2K OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE072KL.pdf | |
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