창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG6402LDM-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMG6402LDM | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 Leadframe Material Update 09/Apr/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 404pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.12W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMG6402LDM-7DITR DMG6402LDM7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMG6402LDM-7 | |
관련 링크 | DMG640, DMG6402LDM-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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CQ0402ARNPO9BN1R1 | 1.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CQ0402ARNPO9BN1R1.pdf | ||
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