창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG6601LVT-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMG6601LVT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A, 2.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 422pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 850mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMG6601LVT-7 | |
관련 링크 | DMG660, DMG6601LVT-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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RC2512FK-0718RL | RES SMD 18 OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-0718RL.pdf | ||
YC122-JR-0718RL | RES ARRAY 2 RES 18 OHM 0404 | YC122-JR-0718RL.pdf | ||
NSCDRRN015PAUNV | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0 mV ~ 75 mV (5V) 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | NSCDRRN015PAUNV.pdf |