Diodes Incorporated DMG6602SVT-7
- 제조업체 부품 번호
- DMG6602SVT-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMG6602SVT-7 가격 및 조달
가능 수량
109150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 69.58449
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMG6602SVT-7, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMG6602SVT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG6602SVT-7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMG6602SVT-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMG6602SVT-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMG6602SVT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMG6602SVT | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A, 2.8A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 3.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 840mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-23-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMG6602SVT-7DITR DMG6602SVT7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMG6602SVT-7 | |
| 관련 링크 | DMG660, DMG6602SVT-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMG6602SVT-7 의 관련 제품
 | B41505A7228M7 | 2200µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 85 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | B41505A7228M7.pdf | |
 | 9C-19.6608MAGJ-T | 19.6608MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-19.6608MAGJ-T.pdf | |
| 5526-10 | 420nH Unshielded Wirewound Inductor 2.5mA Nonstandard | 5526-10.pdf | |
 | MCR10ERTF4222 | RES SMD 42.2K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF4222.pdf | |
 | ESR10EZPF3003 | RES SMD 300K OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF3003.pdf | |
.jpg) | RT1210DRD07787KL | RES SMD 787K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD07787KL.pdf | |
 | RG1608N-3322-W-T5 | RES SMD 33.2K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-3322-W-T5.pdf | |
 | PAT0603E3440BST1 | RES SMD 344 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E3440BST1.pdf | |
| SFR25H0004221FR500 | RES 4.22K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR25H0004221FR500.pdf | |
 | RNF14BAE6K90 | RES 6.9K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE6K90.pdf | |
 | CMF5518K700BEEA | RES 18.7K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5518K700BEEA.pdf | |
| PWD-5522-08-SMA-79 | RF Power Divider 2GHz ~ 8GHz Isolation (Min) 15dB Module | PWD-5522-08-SMA-79.pdf |
