창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG6968UDM-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMG6968UDM | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 6.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 143pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 850mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMG6968UDM7 DMG6968UDMDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMG6968UDM-7 | |
관련 링크 | DMG696, DMG6968UDM-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
C2220C124J1GACTU | 0.12µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | C2220C124J1GACTU.pdf | ||
C0402C169C4GACTU | 1.6pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C169C4GACTU.pdf | ||
B32522E6684K | 0.68µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.709" L x 0.354" W (18.00mm x 9.00mm) | B32522E6684K.pdf | ||
445W32L27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 12pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32L27M00000.pdf | ||
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