Diodes Incorporated DMG8822UTS-13
- 제조업체 부품 번호
- DMG8822UTS-13
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
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DMG8822UTS-13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMG8822UTS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMG8822UTS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| 카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.9A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 8.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 841pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 870mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSSOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMG8822UTS-13DITR DMG8822UTS13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMG8822UTS-13 | |
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