Diodes Incorporated DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13
제조업체 부품 번호
DMHC10H170SFJ-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
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내부 부품 번호EIS-DMHC10H170SFJ-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMHC10H170SFJ
주요제품DMHC10H170SFJ MOSFET H-Bridge Shrinks Footprint
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.9A, 2.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs160m옴 @ 5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1167pF @ 25V
전력 - 최대2.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스12-VDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지V-DFN5045-12
표준 포장 3,000
다른 이름DMHC10H170SFJ-13DITR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMHC10H170SFJ-13
관련 링크DMHC10H1, DMHC10H170SFJ-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
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