창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMHC10H170SFJ-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMHC10H170SFJ | |
주요제품 | DMHC10H170SFJ MOSFET H-Bridge Shrinks Footprint | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A, 2.3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1167pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 12-VDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | V-DFN5045-12 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMHC10H170SFJ-13DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMHC10H170SFJ-13 | |
관련 링크 | DMHC10H1, DMHC10H170SFJ-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | ECJ-0EF1H222Z | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECJ-0EF1H222Z.pdf | |
![]() | GRM0336T1E8R8DD01D | 8.8pF 25V 세라믹 커패시터 T2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336T1E8R8DD01D.pdf | |
![]() | 199D225X0025A2V1E3 | 2.2µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V Radial 0.173" Dia (4.40mm) | 199D225X0025A2V1E3.pdf | |
![]() | 445I32C25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 16pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32C25M00000.pdf | |
![]() | RCL0406100RFKEA | RES SMD 100 OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL0406100RFKEA.pdf | |
![]() | RT0402DRD074K42L | RES SMD 4.42KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD074K42L.pdf | |
![]() | RG3216P-8870-B-T1 | RES SMD 887 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-8870-B-T1.pdf | |
![]() | RN73C2A12R4BTDF | RES SMD 12.4 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A12R4BTDF.pdf | |
![]() | SQMW10100RJ | RES 100 OHM 10W 5% RADIAL | SQMW10100RJ.pdf |