Diodes Incorporated DMN1029UFDB-7
- 제조업체 부품 번호
- DMN1029UFDB-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMN1029UFDB-7 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 113.97672
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMN1029UFDB-7, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMN1029UFDB-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1029UFDB-7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMN1029UFDB-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMN1029UFDB-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN1029UFDB-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMN1029UFDB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19.6nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 914pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | U-DFN2020-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN1029UFDB-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMN1029UFDB-7 | |
| 관련 링크 | DMN102, DMN1029UFDB-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMN1029UFDB-7 의 관련 제품
 | 250USG820MEFCSN25X40 | 820µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C | 250USG820MEFCSN25X40.pdf | |
 | B43504A2158M87 | 1500µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 100 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504A2158M87.pdf | |
 | ECW-HA3C473J | 0.047µF Film Capacitor 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.811" L x 0.528" W (20.60mm x 13.40mm) | ECW-HA3C473J.pdf | |
 | 20KPA172A-B | TVS DIODE 172VWM 277VC P600 | 20KPA172A-B.pdf | |
 | DMP2010UFG-13 | MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 | DMP2010UFG-13.pdf | |
 | 3296W-1-200 | 20 Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 25 Turn Top Adjustment | 3296W-1-200.pdf | |
 | DSS6NC52A271Q92A | LC (T-Type) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 270pF 6A Radial - 3 Leads | DSS6NC52A271Q92A.pdf | |
 | HKQ04023N1C-T | 3.1nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 310 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | HKQ04023N1C-T.pdf | |
| 0618CDMCCDS-1R0MC | 1µH Shielded Molded Inductor 8.3A 16 mOhm Max Nonstandard | 0618CDMCCDS-1R0MC.pdf | |
| CDRH3D11NP-270NC | 27µH Shielded Inductor 480mA 726 mOhm Max Nonstandard | CDRH3D11NP-270NC.pdf | |
 | CMF5511K400BER670 | RES 11.4K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5511K400BER670.pdf | |
 | LTM9004IV-AC#PBF | RF IC Direct Conversion Subsystem General Purpose 700MHz ~ 2.7GHz 9.42MHz Low Pass Filter 204-LGA (22x15) | LTM9004IV-AC#PBF.pdf |
