Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7
- 제조업체 부품 번호
- DMN1032UCB4-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMN1032UCB4-7 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 195.70637
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMN1032UCB4-7, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMN1032UCB4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1032UCB4-7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMN1032UCB4-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMN1032UCB4-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN1032UCB4-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMN1032UCB4 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-UFBGA | |
| 공급 장치 패키지 | U-WLB1010-4 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN1032UCB4-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMN1032UCB4-7 | |
| 관련 링크 | DMN103, DMN1032UCB4-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMN1032UCB4-7 의 관련 제품
 | UCY2G680MHD3TN | 68µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCY2G680MHD3TN.pdf | |
 | B32621A3333J | 0.033µF Film Capacitor 140V 250V Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | B32621A3333J.pdf | |
 | 594D685X9020B2T | 6.8µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1611 (4028 Metric) 900 mOhm 0.157" L x 0.110" W (4.00mm x 2.80mm) | 594D685X9020B2T.pdf | |
 | SMBJ160D-M3/H | TVS DIODE 160VWM 256VC DO214AA | SMBJ160D-M3/H.pdf | |
 | 402F160XXCJT | 16MHz ±15ppm 수정 9pF 300옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F160XXCJT.pdf | |
 | PMST5088,115 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT323 | PMST5088,115.pdf | |
 | 7447779002 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 4.2A 20 mOhm Max Nonstandard | 7447779002.pdf | |
 | AISR-875-472K | 4.7mH Shielded Wirewound Inductor 120mA 16.7 Ohm Max Radial | AISR-875-472K.pdf | |
 | CDRH8D38/ANP-330MC | 33µH Shielded Inductor 980mA 141.3 mOhm Max Nonstandard | CDRH8D38/ANP-330MC.pdf | |
 | ILQ74 | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 4 Channel 16-DIP | ILQ74.pdf | |
| ELM3062(TA) | Optoisolator Triac Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP | ELM3062(TA).pdf | |
| CMF7010M000FHBF | RES 10M OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF7010M000FHBF.pdf |
