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Diodes Incorporated DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13
제조업체 부품 번호
DMN10H170SK3-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 12A TO252
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내부 부품 번호EIS-DMN10H170SK3-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMN10H170SK3
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs140m옴 @ 5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1167pF @ 25V
전력 - 최대42W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252-3
표준 포장 2,500
다른 이름DMN10H170SK3-13DITR
DMN10H170SK313
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMN10H170SK3-13
관련 링크DMN10H1, DMN10H170SK3-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
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