Diodes Incorporated DMN10H170SVT-7
- 제조업체 부품 번호
- DMN10H170SVT-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMN10H170SVT-7 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 163.08864
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMN10H170SVT-7, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMN10H170SVT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H170SVT-7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMN10H170SVT-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMN10H170SVT-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN10H170SVT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMN10H170SVT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1167pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN10H170SVT-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMN10H170SVT-7 | |
| 관련 링크 | DMN10H1, DMN10H170SVT-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMN10H170SVT-7 의 관련 제품
 | SR212A8R2DAR | 8.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR212A8R2DAR.pdf | |
| BFC237015564 | 0.56µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | BFC237015564.pdf | |
| 0313.500VXIDP | FUSE GLASS 500MA 250VAC 3AB 3AG | 0313.500VXIDP.pdf | |
 | P6SMB170A-E3/52 | TVS DIODE 145VWM 234VC SMB | P6SMB170A-E3/52.pdf | |
 | SIT3808AI-D-18EX | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Enable/Disable | SIT3808AI-D-18EX.pdf | |
| LFL15620MTC1C037 | SIGNAL CONDITIONING | LFL15620MTC1C037.pdf | |
 | CDRH5D18NP-100NC | 10µH Shielded Inductor 1.2A 124 mOhm Max Nonstandard | CDRH5D18NP-100NC.pdf | |
1mm.jpg) | 784383230047 | 470nH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 48 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | 784383230047.pdf | |
-MHQ-Series.jpg) | MHQ0402P2N1CT000 | 2.1nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 400 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P2N1CT000.pdf | |
 | 5022-434G | 430µH Unshielded Inductor 147mA 17.1 Ohm Max 2-SMD | 5022-434G.pdf | |
 | RCP2512W160RJEA | RES SMD 160 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W160RJEA.pdf | |
 | TNPU060343K2AZEN00 | RES SMD 43.2K OHM 1/10W 0603 | TNPU060343K2AZEN00.pdf |
