Diodes Incorporated DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7
제조업체 부품 번호
DMN2005DLP4K-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
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DMN2005DLP4K-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN2005DLP4K-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMN2005DLP4K
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Bond Wire 11/Nov/2011
카탈로그 페이지 1573 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C300mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.5옴 @ 10mA, 4V
Id 기준 Vgs(th)(최대)900mV @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대400mW
작동 온도-65°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 무연
공급 장치 패키지6-DFN1310H4(1.0x1.3)
표준 포장 3,000
다른 이름DMN2005DLP4K7
DMN2005DLP4KDITR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMN2005DLP4K-7
관련 링크DMN2005, DMN2005DLP4K-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
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