Diodes Incorporated DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13
제조업체 부품 번호
DMN2016UTS-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
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DMN2016UTS-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN2016UTS-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMN2016UTS
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Bond Wire 11/Nov/2011
카탈로그 페이지 1572 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 공통 드레인
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8.58A
Rds On(최대) @ Id, Vgs14.5m옴 @ 9.4A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs16.5nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1495pF @ 10V
전력 - 최대880mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭)
공급 장치 패키지8-TSSOP
표준 포장 2,500
다른 이름DMN2016UTS-13DITR
DMN2016UTS13
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMN2016UTS-13
관련 링크DMN201, DMN2016UTS-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
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