Diodes Incorporated DMN2016UTS-13
- 제조업체 부품 번호
- DMN2016UTS-13
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMN2016UTS-13 가격 및 조달
가능 수량
11150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 192.74112
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMN2016UTS-13, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMN2016UTS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2016UTS-13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMN2016UTS-13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMN2016UTS-13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN2016UTS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMN2016UTS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| 카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.58A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 9.4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1495pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 880mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSSOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMN2016UTS-13DITR DMN2016UTS13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMN2016UTS-13 | |
| 관련 링크 | DMN201, DMN2016UTS-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMN2016UTS-13 의 관련 제품
 | B43305E2397M | 390µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 320 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305E2397M.pdf | |
 | C901U809DYNDAAWL40 | 8pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U809DYNDAAWL40.pdf | |
 | BFC238300115 | 1.1µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | BFC238300115.pdf | |
| AK10-030C-12 | TVS DIODE 30VWM 58VC AXIAL | AK10-030C-12.pdf | |
 | FXO-HC730R-17.734475 | 17.734475MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC730R-17.734475.pdf | |
 | SIT9002AC-43H25DK | 1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 80mA | SIT9002AC-43H25DK.pdf | |
 | MMZ1005Y102CT000 | 1 kOhm Impedance Ferrite Bead 0402 (1005 Metric) Surface Mount Signal Line 200mA 1 Lines 700 mOhm DCR -55°C ~ 125°C | MMZ1005Y102CT000.pdf | |
 | 34223C | 22µH Shielded Wirewound Inductor 530mA 360 mOhm Max Nonstandard | 34223C.pdf | |
 | MCR03EZPJ272 | RES SMD 2.7K OHM 5% 1/10W 0603 | MCR03EZPJ272.pdf | |
.jpg) | AF0402JR-0739KL | RES SMD 39K OHM 5% 1/16W 0402 | AF0402JR-0739KL.pdf | |
 | PWR2615WR015FE | RES SMD 0.015 OHM 1% 1W 2615 | PWR2615WR015FE.pdf | |
| Y0786138R000B9L | RES 138 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0786138R000B9L.pdf |
