창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2075U-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMN2075U | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 3.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 594.3pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN2075U-7DITR DMN2075U7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMN2075U-7 | |
관련 링크 | DMN20, DMN2075U-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
SEKR47M200ST | 0.47µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 423.5 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | SEKR47M200ST.pdf | ||
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VJ0603D3R3DLCAP | 3.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R3DLCAP.pdf | ||
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V39ZC05PX2855 | VARISTOR 39V 100A DISC 5MM | V39ZC05PX2855.pdf | ||
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Y1745100R000T9R | RES SMD 100OHM 0.01% 1/4W J LEAD | Y1745100R000T9R.pdf | ||
TNPW040227K4BETD | RES SMD 27.4KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040227K4BETD.pdf | ||
RC0S2CA10R0JE | RES SMD 10 OHM 5% 1/4W J LEAD | RC0S2CA10R0JE.pdf | ||
CRCW08052R70JNTB | RES SMD 2.7 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW08052R70JNTB.pdf |