창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2500UFB4-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMN2500UFB4 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 810mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 600mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.74nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60.67pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-X2-DFN1006 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN2500UFB4-7DITR DMN2500UFB47 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMN2500UFB4-7 | |
관련 링크 | DMN250, DMN2500UFB4-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | 205PSB102K4R | 2µF Film Capacitor 575V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial - 4 Leads 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) | 205PSB102K4R.pdf | |
![]() | 0SOO004.Z | FUSE EDISON PLUG 4A 125VAC S TYP | 0SOO004.Z.pdf | |
![]() | 1.5SMC30CA-M3/57T | TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC SMCJ | 1.5SMC30CA-M3/57T.pdf | |
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![]() | CS325S24500000ABJT | 24.5MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CS325S24500000ABJT.pdf | |
CMSH3-100M TR13 | DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMB | CMSH3-100M TR13.pdf | ||
![]() | PE-0603CD271KTT | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 170mA 2.3 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | PE-0603CD271KTT.pdf | |
![]() | RSE500402 | SMITHS | RSE500402.pdf | |
![]() | ERJ-P6WF1002V | RES SMD 10K OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF1002V.pdf | |
![]() | 4820P-1-473 | RES ARRAY 10 RES 47K OHM 20SOIC | 4820P-1-473.pdf |