Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7
제조업체 부품 번호
DMN26D0UFB4-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
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내부 부품 번호EIS-DMN26D0UFB4-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMN26D0UFB4
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Bond Wire 11/Nov/2011
DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015
카탈로그 페이지 1572 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C230mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3옴 @ 100mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds14.1pF @ 15V
전력 - 최대350mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지X2-DFN1006-3
표준 포장 3,000
다른 이름DMN26D0UFB4-7DITR
DMN26D0UFB47
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMN26D0UFB4-7
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