창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN26D0UT-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMN26D0UT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 100mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14.1pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-523 | |
공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN26D0UT-7DITR DMN26D0UT7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMN26D0UT-7 | |
관련 링크 | DMN26, DMN26D0UT-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | NBPMANS250MGUNV | Pressure Sensor 3.63 PSI (25 kPa) Vented Gauge Male - 0.75" (1.91mm) Tube 0 mV ~ 54.5 mV (5V) 4-SMD, J-Lead, Top Port | NBPMANS250MGUNV.pdf | |
![]() | P51-1000-A-A-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-A-A-MD-4.5V-000-000.pdf |