Diodes Incorporated DMN3016LFDE-7
- 제조업체 부품 번호
- DMN3016LFDE-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMN3016LFDE-7 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 106.98615
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMN3016LFDE-7, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMN3016LFDE-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3016LFDE-7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMN3016LFDE-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMN3016LFDE-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3016LFDE-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMN3016LFDE | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25.1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1415pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 730mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | U-DFN2020-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN3016LFDE-7DI DMN3016LFDE-7DI-ND DMN3016LFDE-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3016LFDE-7 | |
| 관련 링크 | DMN301, DMN3016LFDE-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMN3016LFDE-7 의 관련 제품
 | GRM0335C1E2R1CA01D | 2.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E2R1CA01D.pdf | |
 | K561K10C0GH5TH5 | 560pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K561K10C0GH5TH5.pdf | |
 | C4AEOBU4800A12J | 8µF Film Capacitor 900V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.866" W (31.50mm x 22.00mm) | C4AEOBU4800A12J.pdf | |
 | HVB-2 | FUSE CRTRDGE 2A 2.5KVAC NON STD | HVB-2.pdf | |
 | SMCJ36ATR | TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMC | SMCJ36ATR.pdf | |
 | 9C-3.6864MBBK-T | 3.6864MHz ±50ppm 수정 20pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-3.6864MBBK-T.pdf | |
 | VS-30CTQ035STRRHM3 | DIODE SCHOTTKY 35V 15A D2PAK | VS-30CTQ035STRRHM3.pdf | |
 | EGP10D-E3/53 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | EGP10D-E3/53.pdf | |
| 4379R-105KS | 1mH Shielded Inductor 47mA 22 Ohm Max 2-SMD | 4379R-105KS.pdf | |
.jpg) | CRGH1206F178K | RES SMD 178K OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F178K.pdf | |
.jpg) | CRCW060312K0DHEAP | RES SMD 12K OHM 0.5% 1/10W 0603 | CRCW060312K0DHEAP.pdf | |
 | CRA06P04311K0JTA | RES ARRAY 2 RES 11K OHM 0606 | CRA06P04311K0JTA.pdf |
