창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3018SSS-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMN3018SSS | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 697pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMN3018SSS-13DITR DMN3018SSS13 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMN3018SSS-13 | |
관련 링크 | DMN301, DMN3018SSS-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | SIT9120AI-2D-33E | 25MHz ~ 212.5MHz LVDS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable | SIT9120AI-2D-33E.pdf | |
![]() | NVMFD5875NLWFT3G | MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | NVMFD5875NLWFT3G.pdf | |
![]() | MP1-3E-1E-1L-1L-30 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP1-3E-1E-1L-1L-30.pdf | |
![]() | 5022R-274J | 270µH Unshielded Inductor 182mA 11 Ohm Max 2-SMD | 5022R-274J.pdf | |
![]() | ERJ-8BQJR43V | RES SMD 0.43 OHM 5% 1/2W 1206 | ERJ-8BQJR43V.pdf | |
![]() | SFR25H0004531FR500 | RES 4.53K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR25H0004531FR500.pdf | |
![]() | PF2203-56RF1 | RES 56 OHM 35W 1% TO220 | PF2203-56RF1.pdf | |
![]() | Y007533K0000F9L | RES 33K OHM 0.3W 1% RADIAL | Y007533K0000F9L.pdf |