창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3033LSN-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMN3033LSN | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 23/May/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 755pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SC-59-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3033LSN7 DMN3033LSNDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMN3033LSN-7 | |
관련 링크 | DMN303, DMN3033LSN-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | APECVA3010F3C | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 0.7mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, No Lead | APECVA3010F3C.pdf | |
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![]() | RG2012P-2870-B-T5 | RES SMD 287 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-2870-B-T5.pdf | |
![]() | RCP0603B62R0GET | RES SMD 62 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B62R0GET.pdf | |
![]() | RNF18FTD61K9 | RES 61.9K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD61K9.pdf |