Diodes Incorporated DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13
제조업체 부품 번호
DMN30H14DLY-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
Datesheet 다운로드
다운로드
DMN30H14DLY-13 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 324.79840
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of DMN30H14DLY-13, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMN30H14DLY-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN30H14DLY-13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
DMN30H14DLY-13 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMN30H14DLY-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN30H14DLY-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMN30H14DLY
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)300V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C210mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs14옴 @ 300mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs4nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds96pF @ 25V
전력 - 최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지SOT-89
표준 포장 2,500
다른 이름DMN30H14DLY-13DITR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)DMN30H14DLY-13
관련 링크DMN30H1, DMN30H14DLY-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
DMN30H14DLY-13 의 관련 제품
150pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D151JXPAR.pdf
3.6pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) AQ12EA3R6CAJME.pdf
0.47µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Axial 0.256" Dia x 0.748" L (6.50mm x 19.00mm) MKT1813447014R.pdf
68µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) TAJE686K020RNJ.pdf
RF TRANSISTOR NPN SOT-343 NE67818-A.pdf
LED Lighting Color Xlamp® XQ-A Red 625nm (620nm ~ 630nm) 0606 (1616 Metric) XQARED-02-0000-000000Y01.pdf
50k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment FT63ES503.pdf
390nH Shielded Inductor 840mA 160 mOhm Max 1008 (2520 Metric) S1008R-391G.pdf
Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD H11AV1SR2M.pdf
RES ARRAY 7 RES 2.2K OHM 8SRT 752081222GPTR7.pdf
RES 470 OHM 0.3W 0.2% AXIAL Y0058470R000E29L.pdf
RES 58.1554 OHM 0.6W 0.1% RADIAL Y078558R1554B9L.pdf