Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7
제조업체 부품 번호
DMN30H4D0LFDE-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
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DMN30H4D0LFDE-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN30H4D0LFDE-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMN30H4D0LFDE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)300V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C550mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4옴 @ 300mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs7.6nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds187.3pF @ 25V
전력 - 최대630mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-UDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지U-DFN2020-6
표준 포장 3,000
다른 이름DMN30H4D0LFDE-7DITR
DMN30H4D0LFDE7
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMN30H4D0LFDE-7
관련 링크DMN30H4, DMN30H4D0LFDE-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
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