창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3190LDW-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMN3190LDW | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 1.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 87pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 320mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3190LDW-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMN3190LDW-7 | |
관련 링크 | DMN319, DMN3190LDW-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
VS-6F100 | DIODE GEN PURP 1KV 6A DO203AA | VS-6F100.pdf | ||
IXYH30N65C3 | IGBT 650V 60A 270W TO247AD | IXYH30N65C3.pdf | ||
LQP02HQ2N4B02E | 2.4nH Unshielded Thin Film Inductor 450mA 200 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02HQ2N4B02E.pdf | ||
P1812R-562J | 5.6µH Unshielded Inductor 650mA 437 mOhm Max Nonstandard | P1812R-562J.pdf | ||
PFE5KR670 | RES CHAS MNT 0.67 OHM 10% 1126W | PFE5KR670.pdf | ||
ERA-3AEB57R6V | RES SMD 57.6 OHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB57R6V.pdf | ||
MCR03EZPFX2373 | RES SMD 237K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX2373.pdf | ||
AT0402DRD07374RL | RES SMD 374 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD07374RL.pdf | ||
RNCF0805BTC2K71 | RES SMD 2.71K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RNCF0805BTC2K71.pdf | ||
CMF5512K000JKEB | RES 12K OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF5512K000JKEB.pdf | ||
Y078540R0000B9L | RES 40 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y078540R0000B9L.pdf | ||
Y16903R00000A9L | RES 3 OHM 8W 0.05% TO220-4 | Y16903R00000A9L.pdf |