Diodes Incorporated DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7
제조업체 부품 번호
DMN32D4SDW-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Datesheet 다운로드
다운로드
DMN32D4SDW-7 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 63.25863
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of DMN32D4SDW-7, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMN32D4SDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN32D4SDW-7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
DMN32D4SDW-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMN32D4SDW-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN32D4SDW-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMN32D4SDW
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C650mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs400m옴 @ 250mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.6V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.3nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 15V
전력 - 최대290mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름DMN32D4SDW-7DITR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)DMN32D4SDW-7
관련 링크DMN32D, DMN32D4SDW-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
DMN32D4SDW-7 의 관련 제품
3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.130" L x 0.098" W(3.30mm x 2.50mm) C1210X332J5GAC7800.pdf
0.68µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) 08053C684K4Z2A.pdf
1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) 1808AA102MAT1AJ.pdf
33pF 25V 세라믹 커패시터 S2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) GRM0336S1E330JD01D.pdf
TVS DIODE 210VWM 366.98VC P600 3KP210C-B.pdf
VARISTOR 100V 2.5KA DISC 10MM B72210S600K501.pdf
148.35165MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 121mA Enable/Disable 531AC000110DG.pdf
Shielded 2 Coil Inductor Array 319µH Inductance - Connected in Series 79.75µH Inductance - Connected in Parallel 143 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 2.09A Nonstandard DRQ127-820-R.pdf
6.8µH Unshielded Inductor 210mA 2.2 Ohm Max 2-SMD 103R-682F.pdf
RES SMD 158 OHM 1% 1W 2615 SM2615FT158R.pdf
1.6GHz GPS Ceramic Patch RF Antenna 1.57GHz ~ 1.59GHz 5.5dBic Pin Surface Mount ANT2525B00FT1575S.pdf
SYSTEM PA46-3-500-Q2-NO2-NP.pdf