창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN55D0UT-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMN55D0UT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 100mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-523 | |
공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN55D0UT7 DMN55D0UTDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMN55D0UT-7 | |
관련 링크 | DMN55, DMN55D0UT-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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B43511C4827M7 | 820µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 110 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | B43511C4827M7.pdf | ||
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AT0603BRD07130KL | RES SMD 130K OHM 0.1% 1/10W 0603 | AT0603BRD07130KL.pdf | ||
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NBPDLNN160MGUNV | Pressure Sensor 2.32 PSI (16 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 75.5 mV (5V) 4-DIP (0.453", 11.50mm), Top Port | NBPDLNN160MGUNV.pdf | ||
P51-3000-S-J-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-S-J-I36-4.5OVP-000-000.pdf |