창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN5L06WK-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMN5L06WK | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 3/May/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 50mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN5L06WK7 DMN5L06WKDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMN5L06WK-7 | |
관련 링크 | DMN5L, DMN5L06WK-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | DFE252012P-3R3M=P2 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 140 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | DFE252012P-3R3M=P2.pdf | |
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![]() | 4564R-472K | 4.7mH Unshielded Inductor 50mA 18 Ohm Max Radial | 4564R-472K.pdf | |
![]() | CMF6020R000FKEA | RES 20 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6020R000FKEA.pdf | |
![]() | CA00024R700JS70 | RES 4.7 OHM 2W 5% AXIAL | CA00024R700JS70.pdf | |
![]() | CMF604M2200FKEB | RES 4.22M OHM 1W 1% AXIAL | CMF604M2200FKEB.pdf | |
![]() | PXV1220S-4DBN5-T | RF Attenuator 4dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-4DBN5-T.pdf |