Diodes Incorporated DMN6040SSDQ-13

DMN6040SSDQ-13
제조업체 부품 번호
DMN6040SSDQ-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8
Datesheet 다운로드
다운로드
DMN6040SSDQ-13 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 237.21984
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of DMN6040SSDQ-13, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMN6040SSDQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN6040SSDQ-13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
DMN6040SSDQ-13 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMN6040SSDQ-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN6040SSDQ-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMN6040SSDQ
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs40m옴 @ 4.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs22.4nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1287pF @ 25V
전력 - 최대1.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름DMN6040SSDQ-13DITR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)DMN6040SSDQ-13
관련 링크DMN6040, DMN6040SSDQ-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
DMN6040SSDQ-13 의 관련 제품
12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) SR152A120JAA.pdf
0.36µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) MKP383436040JIP2T0.pdf
SIDACTOR BI 65V 150A TO-92 P0720EALRP1.pdf
27.12MHz ±10ppm 수정 10pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) ABM3B-27.120MHZ-10-B-1-U-T.pdf
DIODE SCHOTTKY 1A 70V SMAJ LSM170JE3/TR13.pdf
LED Lighting XLamp® MX-3 White, Neutral 4750K 3.7V 350mA 120° 2-SMD, Gull Wing, Exposed Pad MX3AWT-A1-R250-000CA2.pdf
1.8 kOhm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount Signal Line 200mA 1 Lines 800 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C MMZ1608A182BTA00.pdf
6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.39A 165 mOhm Max Nonstandard VLCF5020T-6R8N1R3-1.pdf
RES SMD 2.67KOHM 0.5% 1/16W 0402 RR0510P-2671-D.pdf
RES SMD 16.9 OHM 0.5% 1/10W 0603 AT0603DRD0716R9L.pdf
RES SMD 24 OHM 5% 1W 2512 CRCW251224R0JNTH.pdf
RF Attenuator 4dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 100mW 1206 (3216 Metric) E-TA3216 T 4DB N7.pdf