Diodes Incorporated DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7
제조업체 부품 번호
DMN65D8LDW-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
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DMN65D8LDW-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN65D8LDW-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMN65D8LDW
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 조립/원산지Plating Site Addition 29/Jul/2015
PCN 기타Multiple Device Changes 29/Apr/2013
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C180mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs6옴 @ 115mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.87nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds22pF @ 25V
전력 - 최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름DMN65D8LDW-7DITR
DMN65D8LDW7
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMN65D8LDW-7
관련 링크DMN65D, DMN65D8LDW-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
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