Diodes Incorporated DMN65D8LFB-7B
- 제조업체 부품 번호
- DMN65D8LFB-7B
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMN65D8LFB-7B 가격 및 조달
가능 수량
31150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 37.74514
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMN65D8LFB-7B, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMN65D8LFB-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN65D8LFB-7B, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMN65D8LFB-7B 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMN65D8LFB-7B 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN65D8LFB-7B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMN65D8LFB | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 260mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 115mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 430mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | X1-DFN1006-3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DMN65D8LFB-7BDITR DMN65D8LFB7B | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMN65D8LFB-7B | |
| 관련 링크 | DMN65D, DMN65D8LFB-7B Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMN65D8LFB-7B 의 관련 제품
 | 860130575004 | 100µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 125°C | 860130575004.pdf | |
 | B43508F2108M60 | 1000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 120 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508F2108M60.pdf | |
 | GRM31A5C2J561JW01D | 560pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31A5C2J561JW01D.pdf | |
 | AQ142M111FAJME | 110pF 200V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ142M111FAJME.pdf | |
| GLX-1/4 | FUSE BOARD MNT 250MA 125VAC RAD | GLX-1/4.pdf | |
 | FOXSDLF/143-20 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | FOXSDLF/143-20.pdf | |
 | ABM10AIG-12.000MHZ-D2Z-T3 | 12MHz ±20ppm 수정 10pF 150옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10AIG-12.000MHZ-D2Z-T3.pdf | |
 | T602-019.44M | 19.44MHz LVCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 2.1mA Enable/Disable | T602-019.44M.pdf | |
 | RF05VA1STR | DIODE GEN PURP 100V 500MA TUMD2 | RF05VA1STR.pdf | |
 | ELJ-QF2N0ZF | 2nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 90 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | ELJ-QF2N0ZF.pdf | |
| NLCV32T-1R0M-PFRD | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 1.7A 66 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLCV32T-1R0M-PFRD.pdf | |
 | MCT06030C1782FP500 | RES SMD 17.8K OHM 1% 1/8W 0603 | MCT06030C1782FP500.pdf |
