Diodes Incorporated DMP1012UCB9-7
- 제조업체 부품 번호
- DMP1012UCB9-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 8V 10A
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMP1012UCB9-7 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 354.71767
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMP1012UCB9-7, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMP1012UCB9-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP1012UCB9-7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMP1012UCB9-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMP1012UCB9-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP1012UCB9-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMP1012UCB9 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1060pF @ 4V | |
| 전력 - 최대 | 890mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 9-UFBGA, WLBGA | |
| 공급 장치 패키지 | U-WLB1515-9 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMP1012UCB9-7 | |
| 관련 링크 | DMP101, DMP1012UCB9-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMP1012UCB9-7 의 관련 제품
 | UHE1J330MED1TA | 33µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UHE1J330MED1TA.pdf | |
 | RDER71H332K0P1H03B | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RDER71H332K0P1H03B.pdf | |
.jpg) | TCN4157M025R0070 | 150µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 25V 2924 (7360 Metric) 70 mOhm 0.287" L x 0.240" W (7.30mm x 6.10mm) | TCN4157M025R0070.pdf | |
 | SIT8008BI-82-33E-28.636360Y | OSC XO 3.3V 28.63636MHZ OE | SIT8008BI-82-33E-28.636360Y.pdf | |
| SIT1602BI-83-33E-10.000000X | OSC XO 3.3V 10MHZ OE | SIT1602BI-83-33E-10.000000X.pdf | |
.jpg) | BZX585-C3V9,115 | DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD523 | BZX585-C3V9,115.pdf | |
 | 1N5248B TR | DIODE ZENER 18V 500MW DO35 | 1N5248B TR.pdf | |
 | IXGT16N170AH1 | IGBT 1700V 16A 190W TO268 | IXGT16N170AH1.pdf | |
 | SCH74-391 | 390µH Unshielded Wirewound Inductor 460mA 2.09 Ohm Max Nonstandard | SCH74-391.pdf | |
.jpg) | AT0402DRE0716R2L | RES SMD 16.2 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE0716R2L.pdf | |
| MBB02070C2893FC100 | RES 289K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2893FC100.pdf | |
| BPX 81-2/3 | PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM TH | BPX 81-2/3.pdf |
