창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMP2035UVT-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMP2035UVT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23.1nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMP2035UVT-7DITR DMP2035UVT7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMP2035UVT-7 | |
관련 링크 | DMP203, DMP2035UVT-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
CBR02C110F3GAC | 11pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C110F3GAC.pdf | ||
C0805S223J5RACTU | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805S223J5RACTU.pdf | ||
B32676G3206K | 20µF Film Capacitor 160V 300V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.102" W (42.00mm x 28.00mm) | B32676G3206K.pdf | ||
MCH38FM100D | 10pF Mica Capacitor 4000V (4kV) Nonstandard SMD 0.380" L x 0.380" W (9.65mm x 9.65mm) | MCH38FM100D.pdf | ||
445W3XJ20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XJ20M00000.pdf | ||
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2500R-30G | 1.1mH Unshielded Molded Inductor 81mA 21 Ohm Max Axial | 2500R-30G.pdf | ||
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RN73C1J102RBTDF | RES SMD 102 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J102RBTDF.pdf | ||
MFR-25FBF52-61R9 | RES 61.9 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-61R9.pdf | ||
F39-EJ1045-D | F39-EJ1045-D | F39-EJ1045-D.pdf |