창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMT10H010LSS-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMT10H010LSS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Ta), 29.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMT10H010LSS-13 | |
관련 링크 | DMT10H0, DMT10H010LSS-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | K121J15C0GF53H5 | 120pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K121J15C0GF53H5.pdf | |
![]() | ABLS2-8.192MHZ-B1U-T | 8.192MHz ±10ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS2-8.192MHZ-B1U-T.pdf | |
![]() | 1SMB5927BT3G | DIODE ZENER 12V 3W SMB | 1SMB5927BT3G.pdf | |
![]() | MCH6613-TL-E | MOSFET N/P-CH 30V MCPH6 | MCH6613-TL-E.pdf | |
![]() | TRR10EZPJ1R3 | RES SMD 1.3 OHM 5% 1/8W 0805 | TRR10EZPJ1R3.pdf | |
![]() | CRT0603-BY-5110ELF | RES SMD 511 OHM 0.1% 1/10W 0603 | CRT0603-BY-5110ELF.pdf | |
![]() | MMF1WSFRF120R | RES SMD 120 OHM 1% 1W MELF | MMF1WSFRF120R.pdf | |
![]() | RCWE0603R820JKEA | RES SMD 0.82 OHM 5% 1/5W 0603 | RCWE0603R820JKEA.pdf | |
![]() | PTN1206E1210BST1 | RES SMD 121 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1210BST1.pdf | |
![]() | 43F500E | RES 500 OHM 3W 1% AXIAL | 43F500E.pdf | |
![]() | GX-H6BI-R | Inductive Proximity Sensor 0.051" (1.3mm) IP68 Module | GX-H6BI-R.pdf |