Diodes Incorporated DMT10H015LSS-13
- 제조업체 부품 번호
- DMT10H015LSS-13
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 8.3A
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMT10H015LSS-13 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 456.64819
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMT10H015LSS-13, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMT10H015LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT10H015LSS-13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMT10H015LSS-13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMT10H015LSS-13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMT10H015LSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMT10H015LSS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1871pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMT10H015LSS-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMT10H015LSS-13 | |
| 관련 링크 | DMT10H0, DMT10H015LSS-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMT10H015LSS-13 의 관련 제품
 | UVR1C331MPD1TA | 330µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVR1C331MPD1TA.pdf | |
-Taiyo-Yuden-.jpg) | TMK212BJ225MG-T | 2.2µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | TMK212BJ225MG-T.pdf | |
 | HAU470KBATARKR | 47pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 N750 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | HAU470KBATARKR.pdf | |
 | ASTMHTE-66.666MHZ-AR-E | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-66.666MHZ-AR-E.pdf | |
 | VS-20ETS08STRR-M3 | DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB | VS-20ETS08STRR-M3.pdf | |
.jpg) | RT1206DRD0712K4L | RES SMD 12.4K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD0712K4L.pdf | |
.jpg) | RT1210DRD0761R9L | RES SMD 61.9 OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD0761R9L.pdf | |
 | ERJ-S12F1130U | RES SMD 113 OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F1130U.pdf | |
 | RCP0603B25R0GS3 | RES SMD 25 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B25R0GS3.pdf | |
| Y17466K45320T9L | RES SMD 6.4532K OHM 0.6W J LEAD | Y17466K45320T9L.pdf | |
| 4306M-101-221LF | RES ARRAY 5 RES 220 OHM 6SIP | 4306M-101-221LF.pdf | |
| MBA02040C1052FCT00 | RES 10.5K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1052FCT00.pdf |
