창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMTH6004SCTB-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DMTH6004SCTB-13 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4556pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 4.7W | |
작동 온도 | * | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | DMTH6004SCTB-13-ND DMTH6004SCTB-13DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DMTH6004SCTB-13 | |
관련 링크 | DMTH600, DMTH6004SCTB-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | ABM8-29.4912MHZ-B2-T3 | 29.4912MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8-29.4912MHZ-B2-T3.pdf | |
![]() | NRS8040T6R8NJGJV | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 32.5 mOhm Max Nonstandard | NRS8040T6R8NJGJV.pdf | |
![]() | 1812-682K | 6.8µH Unshielded Inductor 409mA 1.2 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | 1812-682K.pdf | |
![]() | CR0805-FX-9313ELF | RES SMD 931K OHM 1% 1/8W 0805 | CR0805-FX-9313ELF.pdf | |
![]() | RT0603WRD0739R2L | RES SMD 39.2OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRD0739R2L.pdf | |
![]() | ACASA1001S3001P1AT | RES ARRAY 4 RES MULT OHM 1206 | ACASA1001S3001P1AT.pdf | |
![]() | Y001110R0000D9L | RES 10 OHM 1W 0.5% RADIAL | Y001110R0000D9L.pdf | |
![]() | E2FM-X1R5D1-M1TGJ 0.3M | Inductive Proximity Sensor 0.059" (1.5mm) IP67 Cylinder, Threaded - M8 | E2FM-X1R5D1-M1TGJ 0.3M.pdf | |
![]() | 66F110-0452 | THERMOSTAT 110 DEG NO 8-DIP | 66F110-0452.pdf |