Diodes Incorporated DMTH6009LK3-13
- 제조업체 부품 번호
- DMTH6009LK3-13
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 14.2A
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMTH6009LK3-13 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 489.26592
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMTH6009LK3-13, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMTH6009LK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6009LK3-13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMTH6009LK3-13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMTH6009LK3-13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMTH6009LK3-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMTH6009LK3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.2A(Ta), 59A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1925pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMTH6009LK3-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMTH6009LK3-13 | |
| 관련 링크 | DMTH600, DMTH6009LK3-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMTH6009LK3-13 의 관련 제품
.jpg) | C0805C182J5GACTU | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C182J5GACTU.pdf | |
 | C0603C220J1GALTU | 22pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C220J1GALTU.pdf | |
 | C901U500JZSDCA7317 | 50pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U500JZSDCA7317.pdf | |
 | GL163F35IET | 16.384MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL163F35IET.pdf | |
 | 416F26022CDT | 26MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26022CDT.pdf | |
| SIT8008BI-32-18E-14.745600Y | OSC XO 1.8V 14.7456MHZ OE | SIT8008BI-32-18E-14.745600Y.pdf | |
 | XZTHI56W-1 | Infrared (IR) Emitter 880nm 1.3V 50mA 1mW/sr @ 20mA 30° 2-SMD, No Lead | XZTHI56W-1.pdf | |
 | OJ-SS-124DM,000 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 24VDC Coil Through Hole | OJ-SS-124DM,000.pdf | |
 | UB2-3NU | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | UB2-3NU.pdf | |
 | RMCF1210FT7K50 | RES SMD 7.5K OHM 1% 1/3W 1210 | RMCF1210FT7K50.pdf | |
 | RG1608V-471-D-T5 | RES SMD 470 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-471-D-T5.pdf | |
 | RNF14BAC1K54 | RES 1.54K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAC1K54.pdf |
