Microchip Technology DN1509N8-G

DN1509N8-G
제조업체 부품 번호
DN1509N8-G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3
Datesheet 다운로드
다운로드
DN1509N8-G 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 654.82550
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of DN1509N8-G, we specialize in all series Microchip Technology electronic components. DN1509N8-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN1509N8-G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
DN1509N8-G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DN1509N8-G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DN1509N8-G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DN1509
PCN 설계/사양Datasheet Update 25/Jun/2015
Datasheet Update 20/Aug/2015
Die Attach Material Update 26/Aug/2015
PCN 조립/원산지Fab Site Addition 14/Aug/2014
Fab Site Revision 07/Apr/2015
Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015
PCN 포장Label and Packing Changes 23/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microchip Technology
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징공핍 모드
드레인 - 소스 전압(Vdss)90V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C360mA(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6옴 @ 200mA, 0V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds150pF @ 25V
전력 - 최대1.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지TO-243AA(SOT-89)
표준 포장 2,000
다른 이름DN1509N8-G-ND
DN1509N8-GTR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)DN1509N8-G
관련 링크DN150, DN1509N8-G Datasheet, Microchip Technology Distributor
DN1509N8-G 의 관련 제품
10µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 125°C UBT2W100MHD.pdf
470µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C EKMW421VSN471MA30S.pdf
0.047µF 100V 세라믹 커패시터 CH 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) C4532CH2A473J200KA.pdf
0.022µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) VJ1206Y223MXLAT5Z.pdf
24.576MHz ±30ppm 수정 12pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445A31L24M57600.pdf
28.63636MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) MA-306 28.63636M-C3: PURE SN.pdf
DIODE SCHOTTKY 100V ITO220AC STF20100.pdf
DIODE ZENER 15V 1.5W DO204AL 1N5929E3/TR13.pdf
TRANS PNP 45V 0.5A SOT323 BC807-25W,135.pdf
RES SMD 34 OHM 1% 1/4W 1206 ERJ-S08F34R0V.pdf
RES SMD 464 OHM 0.1% 1/4W 1206 RNCF1206BTC464R.pdf
SENSOR TEMP ANLG VOLT TO-92-3 AD22100STZ.pdf