창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DN1509N8-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DN1509 | |
PCN 설계/사양 | Datasheet Update 25/Jun/2015 Datasheet Update 20/Aug/2015 Die Attach Material Update 26/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 360mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 200mA, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | TO-243AA(SOT-89) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | DN1509N8-G-ND DN1509N8-GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DN1509N8-G | |
관련 링크 | DN150, DN1509N8-G Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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416F27112ATR | 27.12MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27112ATR.pdf | ||
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1008R-331K | 330nH Unshielded Inductor 954mA 165 mOhm Max Nonstandard | 1008R-331K.pdf | ||
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HRG3216P-82R5-D-T5 | RES SMD 82.5 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-82R5-D-T5.pdf | ||
CRCW0402182KFKTD | RES SMD 182K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402182KFKTD.pdf | ||
B8J2R0 | RES 2 OHM 8W 5% AXIAL | B8J2R0.pdf | ||
Y607849K5000V0L | RES 49.5K OHM .3W .005% RADIAL | Y607849K5000V0L.pdf |