Microchip Technology DN2535N3-G
,TO-226_straightlead.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- DN2535N3-G
- 제조업 자
- Microchip Technology
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DN2535N3-G 가격 및 조달
가능 수량
3112 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 642.47000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DN2535N3-G, we specialize in all series Microchip Technology electronic components. DN2535N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN2535N3-G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DN2535N3-G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DN2535N3-G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DN2535N3-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DN2535 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 350V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 @ 120mA, 0V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92(TO-226) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DN2535N3-G | |
| 관련 링크 | DN253, DN2535N3-G Datasheet, Microchip Technology Distributor | |
DN2535N3-G 의 관련 제품
 | 865060640003 | 3.3µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | 865060640003.pdf | |
 | UPM0J271MED | 270µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPM0J271MED.pdf | |
 | 39901250000 | FUSE BRD MNT 125MA 65VAC/VDC RAD | 39901250000.pdf | |
 | 416F27023IKT | 27MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27023IKT.pdf | |
 | SIT3822AC-2B-33NM | 220MHz ~ 625MHz LVDS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA | SIT3822AC-2B-33NM.pdf | |
 | BZX384C11-E3-18 | DIODE ZENER 11V 200MW SOD323 | BZX384C11-E3-18.pdf | |
 | LQW2BASR24G00L | 240nH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 1 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | LQW2BASR24G00L.pdf | |
 | HCPL-2231-000E | Logic Output Optoisolator 5MBd Push-Pull, Totem Pole 3750Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-DIP | HCPL-2231-000E.pdf | |
.jpg) | RP73D2B64R9BTDF | RES SMD 64.9 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B64R9BTDF.pdf | |
 | CRCW12066M65FKTA | RES SMD 6.65M OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12066M65FKTA.pdf | |
 | E3ZM-T86-L | EMITTER ONLY 15M PNP M8 CONN | E3ZM-T86-L.pdf | |
| E2A-M30KS15-WP-B1 5M | Inductive Proximity Sensor 0.591" (15mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M30 | E2A-M30KS15-WP-B1 5M.pdf |
