창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DN2535N5-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DN2535 | |
PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 350V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 @ 120mA, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 15W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DN2535N5-G | |
관련 링크 | DN253, DN2535N5-G Datasheet, Microchip Technology Distributor |
YNA21B2C0G106M | 10µF 4V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | YNA21B2C0G106M.pdf | ||
C2012JB1V226M125AC | 22µF 35V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB1V226M125AC.pdf | ||
GCM1555C1H3R2CA16D | 3.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GCM1555C1H3R2CA16D.pdf | ||
T543D107K016AHW050D100 | 100µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 50 mOhm @ 100kHz 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T543D107K016AHW050D100.pdf | ||
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ASTMHTFL-25.000MHZ-AR-E | 25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-25.000MHZ-AR-E.pdf | ||
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CPCC05R8000KB32 | RES 0.8 OHM 5W 10% RADIAL | CPCC05R8000KB32.pdf |