Microchip Technology DN2625DK6-G
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- DN2625DK6-G
- 제조업 자
- Microchip Technology
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
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- MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
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DN2625DK6-G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DN2625DK6-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DN2625 | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound Update 18/Feb/2015 Lead-Frame Material Update 26/Aug/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.1A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 1A, 0V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.04nC @ 1.5V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-VDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x5) | |
| 표준 포장 | 490 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DN2625DK6-G | |
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