창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DN2625DK6-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DN2625 | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound Update 18/Feb/2015 Lead-Frame Material Update 26/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.1A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 1A, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.04nC @ 1.5V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-VDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x5) | |
표준 포장 | 490 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DN2625DK6-G | |
관련 링크 | DN262, DN2625DK6-G Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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![]() | SIT9120AI-2B1-25E148.500000Y | OSC XO 2.5V 148.5MHZ | SIT9120AI-2B1-25E148.500000Y.pdf | |
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![]() | L-15WR10JV4E | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 430 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | L-15WR10JV4E.pdf | |
![]() | RMCF0805FG49R9 | RES SMD 49.9 OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FG49R9.pdf | |
![]() | RT0603BRC077R68L | RES SMD 7.68 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC077R68L.pdf | |
![]() | RT2512CKB0752R3L | RES SMD 52.3 OHM 0.25% 3/4W 2512 | RT2512CKB0752R3L.pdf | |
![]() | Y1636510R000B9W | RES SMD 510 OHM 0.1% 1/10W 0603 | Y1636510R000B9W.pdf | |
![]() | CRCW010030K1FREL | RES SMD 30.1K OHM 1% 1/32W 01005 | CRCW010030K1FREL.pdf | |
![]() | P51-500-S-S-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Sealed Gauge Female - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-500-S-S-I12-4.5OVP-000-000.pdf |