Microchip Technology DSC1001BI2-012.0000
-5.00-mm-x-3.20-mm.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- DSC1001BI2-012.0000
- 제조업 자
- Microchip Technology
- 제품 카테고리
- 발진기
- 간단한 설명
- 12MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DSC1001BI2-012.0000 가격 및 조달
가능 수량
1215 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,359.07000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DSC1001BI2-012.0000, we specialize in all series Microchip Technology electronic components. DSC1001BI2-012.0000 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DSC1001BI2-012.0000, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DSC1001BI2-012.0000 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DSC1001BI2-012.0000 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC1001BI2-012.0000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DSC1001 | |
| 애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC1001 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 12MHz | |
| 기능 | 대기(절전) | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 6.3mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 15µA | |
| 표준 포장 | 72 | |
| 다른 이름 | 576-4942-5 DSC1001BI2-012.0000-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DSC1001BI2-012.0000 | |
| 관련 링크 | DSC1001BI, DSC1001BI2-012.0000 Datasheet, Microchip Technology Distributor | |
DSC1001BI2-012.0000 의 관련 제품
.jpg) | 201R07S0R2AV4T | 0.20pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 201R07S0R2AV4T.pdf | |
 | CS1206KKX7RZBB103 | 10000pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CS1206KKX7RZBB103.pdf | |
| 561R1DF0T15 | 150pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 N2000 방사형, 디스크 0.252" Dia(6.40mm) | 561R1DF0T15.pdf | |
.jpg) | EMK042CG1R8CC-F | 1.8pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | EMK042CG1R8CC-F.pdf | |
| B32671L1182J289 | 1800pF Film Capacitor 600V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial | B32671L1182J289.pdf | |
 | 168183J100A-F | 0.018µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | 168183J100A-F.pdf | |
 | CD30FD123FO3 | 0.012µF Mica Capacitor 500V Radial 0.799" L x 0.358" W (20.30mm x 9.10mm) | CD30FD123FO3.pdf | |
 | AB-24.19066MENE-T | 24.19066MHz ±10ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AB-24.19066MENE-T.pdf | |
 | 3EZ91D/TR8 | DIODE ZENER 91V 3W DO204AL | 3EZ91D/TR8.pdf | |
 | 74404031068A | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.29A 164 mOhm Nonstandard | 74404031068A.pdf | |
 | IMC1812BNR22K | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 400 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BNR22K.pdf | |
 | ERJ-A1BJ8R2U | RES SMD 8.2 OHM 1.33W 2512 WIDE | ERJ-A1BJ8R2U.pdf |
